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在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,，晶圓的厚度測(cè)量是至關(guān)重要的一環(huán),，它直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。為了滿足高精度測(cè)量的需求,，我們研發(fā)了一款對(duì)射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測(cè)量設(shè)...

金剛石膜檢測(cè)與測(cè)試報(bào)告 檢測(cè)項(xiàng)目 金剛石膜的檢測(cè)項(xiàng)目主要包括以下幾個(gè)方面：膜厚度,、晶體結(jié)構(gòu)、表面粗糙度,、附著力,、熱穩(wěn)定性及耐磨性等。

硅片厚度測(cè)試的方法主要包括非接觸式光學(xué)測(cè)量技術(shù),，如反射率法,、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中,，反射率法是通過測(cè)量不同角度下光線的反射率變化來計(jì)算硅片厚...

主要利用結(jié)光電壓技術(shù)非接觸測(cè)試具有P/N或N/P結(jié)構(gòu)的樣品的方阻(發(fā)射極薄層方阻）,，本儀器為非接觸,，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快,，重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高,，可以直接...

金屬薄膜方阻測(cè)試儀：金屬薄膜方阻,，方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層,、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測(cè)量值,，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻...

硅片電阻率測(cè)試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下,，有公式R=ρl/S,，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度,，...

無損方塊電阻測(cè)試儀包含一個(gè)渦流傳感器組,，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測(cè)量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測(cè)量對(duì)象的片電阻相關(guān)的電磁場(chǎng),。電渦流技術(shù)不依...

PN型測(cè)試儀可以測(cè)試硅片PN型號(hào),、硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個(gè)因素，因?yàn)樗P(guān)系到每個(gè)硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量,。超薄的硅片給線鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn),，因?yàn)槠渖a(chǎn)過程...

晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀,，渦流法低電阻率分析儀,，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀,，少子壽命測(cè)試儀,，為晶圓、碳化硅,、硅片,、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控...